1. <u id="gdku2"></u>
      <sub id="gdku2"></sub>

          1. Solid-state Electronics
            • 數據庫收錄SCIE
            • 創刊年份1960年
            • 年發文量175
            • H-index87

            Solid-state Electronics

            期刊中文名:固態電子ISSN:0038-1101E-ISSN:1879-2405

            該雜志國際簡稱:SOLID STATE ELECTRON,是由出版商Elsevier Ltd出版的一本致力于發布物理與天體物理研究新成果的的專業學術期刊。該雜志以ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究為重點,主要發表刊登有創見的學術論文文章、行業最新科研成果,扼要報道階段性研究成果和重要研究工作的最新進展,選載對學科發展起指導作用的綜述與專論,促進學術發展,為廣大讀者服務。該刊是一本國際優秀雜志,在國際上有很高的學術影響力。

            基本信息:
            期刊簡稱:SOLID STATE ELECTRON
            是否OA:未開放
            是否預警:
            Gold OA文章占比:18.40%
            出版信息:
            出版地區:UNITED STATES
            出版周期:Monthly
            出版語言:English
            出版商:Elsevier Ltd
            評價信息:
            中科院分區:4區
            JCR分區:Q3
            影響因子:1.4
            CiteScore:3
            雜志介紹 中科院JCR分區 JCR分區 CiteScore 投稿經驗

            雜志介紹

            Solid-state Electronics雜志介紹

            《Solid-state Electronics》是一本以English為主的未開放獲取國際優秀期刊,中文名稱固態電子,本刊主要出版、報道物理與天體物理-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的研究動態以及在該領域取得的各方面的經驗和科研成果,介紹該領域有關本專業的最新進展,探討行業發展的思路和方法,以促進學術信息交流,提高行業發展。該刊已被國際權威數據庫SCIE收錄,為該領域相關學科的發展起到了良好的推動作用,也得到了本專業人員的廣泛認可。該刊最新影響因子為1.4,最新CiteScore 指數為3。

            本刊近期中國學者發表的論文主要有:

            • Monolithic TCAD simulation of phase-change memory (PCM/PRAM) plus Ovonic Threshold Switch (OTS) selector device

              Author: Thesberg, M.; Stanojevic, Z.; Baumgartner, O.; Kernstock, C.; Leonelli, D.; Barci, M.; Wang, X.; Zhou, X.; Jiao, H.; Donadio, G. L.; Garbin, D.; Witters, T.; Kundu, S.; Hody, H.; Delhougne, R.; Kar, G.; Karner, M.

            • New insights into the effect of spatially distributed polarization in ferroelectric FET on content addressable memory operation for machine learning applications

              Author: Su, Chang; Xu, Weikai; Zhang, Lining; Huang, Ru; Huang, Qianqian

            • Analysis of uniaxial stress impact on drift velocity of 4H-SiC by full-band Monte Carlo simulation

              Author: Nishimura, T.; Eikyu, K.; Sonoda, K.; Ogata, T.

            • Investigation on holding voltage of asymmetric DDSCR with floating heavy doping in 0.18?m CMOS process

              Author: Guan, Wenjie; Wang, Yang; Deng, Zhiqin; Yu, Bo; Chen, Xijun; Jin, Xiangliang; Yang, Hongjiao

            英文介紹

            Solid-state Electronics雜志英文介紹

            It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

            中科院SCI分區

            Solid-state Electronics雜志中科院分區信息

            2023年12月升級版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:物理與天體物理 4區
            小類:

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應用 4區

            PHYSICS, CONDENSED MATTER
            物理:凝聚態物理 4區

            2022年12月升級版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:物理與天體物理 3區
            小類:

            PHYSICS, CONDENSED MATTER
            物理:凝聚態物理 3區

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應用 4區

            2021年12月舊的升級版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:物理與天體物理 3區
            小類:

            PHYSICS, CONDENSED MATTER
            物理:凝聚態物理 3區

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應用 4區

            2021年12月基礎版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:物理 4區
            小類:

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應用 4區

            PHYSICS, CONDENSED MATTER
            物理:凝聚態物理 4區

            2021年12月升級版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:物理與天體物理 3區
            小類:

            PHYSICS, CONDENSED MATTER
            物理:凝聚態物理 3區

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應用 4區

            2020年12月舊的升級版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:物理與天體物理 3區
            小類:

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應用 4區

            PHYSICS, CONDENSED MATTER
            物理:凝聚態物理 4區

            中科院SCI分區:是中國科學院文獻情報中心科學計量中心的科學研究成果。期刊分區表自2004年開始發布,延續至今;2019年推出升級版,實現基礎版、升級版并存過渡,2022年只發布升級版,期刊分區表數據每年底發布。 中科院分區為4個區。中科院分區采用刊物前3年影響因子平均值進行分區,即前5%為該類1區,6%~20%為2區、21%~50%為3區,其余的為4區。1區和2區雜志很少,雜志質量相對也高,基本都是本領域的頂級期刊。

            JCR分區(2023-2024年最新版)

            Solid-state Electronics雜志 JCR分區信息

            按JIF指標學科分區
            學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            收錄子集:SCIE
            分區:Q3
            排名:259 / 352
            百分位:

            26.6%

            學科:PHYSICS, APPLIED
            收錄子集:SCIE
            分區:Q4
            排名:138 / 179
            百分位:

            23.2%

            學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER
            收錄子集:SCIE
            分區:Q4
            排名:61 / 79
            百分位:

            23.4%

            按JCI指標學科分區
            學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            收錄子集:SCIE
            分區:Q3
            排名:261 / 354
            百分位:

            26.41%

            學科:PHYSICS, APPLIED
            收錄子集:SCIE
            分區:Q3
            排名:133 / 179
            百分位:

            25.98%

            學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER
            收錄子集:SCIE
            分區:Q3
            排名:54 / 79
            百分位:

            32.28%

            JCR分區:JCR分區來自科睿唯安公司,JCR是一個獨特的多學科期刊評價工具,為唯一提供基于引文數據的統計信息的期刊評價資源。每年發布的JCR分區,設置了254個具體學科。JCR分區根據每個學科分類按照期刊當年的影響因子高低將期刊平均分為4個區,分別為Q1、Q2、Q3和Q4,各占25%。JCR分區中期刊的數量是均勻分為四個部分的。

            CiteScore 評價數據(2024年最新版)

            Solid-state Electronics雜志CiteScore 評價數據

            • CiteScore 值:3
            • SJR:0.348
            • SNIP:0.655
            學科類別 分區 排名 百分位
            大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 419 / 797

            47%

            大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 245 / 434

            43%

            大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q3 182 / 317

            42%

            大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 169 / 284

            40%

            歷年影響因子和期刊自引率

            投稿經驗

            Solid-state Electronics雜志投稿經驗

            該雜志是一本國際優秀雜志,在國際上有較高的學術影響力,行業關注度很高,已被國際權威數據庫SCIE收錄,該雜志在ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC綜合專業領域專業度認可很高,對稿件內容的創新性和學術性要求很高,作為一本國際優秀雜志,一般投稿過審時間都較長,投稿過審時間平均 一般,3-6周 約9.2周,如果想投稿該刊要做好時間安排。版面費不祥。該雜志近兩年未被列入預警名單,建議您投稿。如您想了解更多投稿政策及投稿方案,請咨詢客服。

            免責聲明

            若用戶需要出版服務,請聯系出版商:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。

            人妻爽爽免费在线视频_亚洲日韩欧洲日本国产综合_中文字幕人妻少妇av_在线观看无码AV网站永久不卡

              1. <u id="gdku2"></u>
                <sub id="gdku2"></sub>

                    1. 正在播放约酒店少妇高潮 | 在线人成亚洲播放网站 | 在线观看国产激情免费 | 久久久久久久亚洲精品中文 | 日本亚洲国产精品久久 | 日本精品久久久久中文字幕 |